发明名称 基片的电镀装置和电镀方法以及电解处理方法及其装置
摘要 本发明特别是关于在半导体基片上形成的微细配线图案(凹处)中填充铜(Cu)等金属等用途的基片电镀方法及装置,具备使被电镀面向上方、水平地保持并旋转基片的基片保持部(36),与由该基片保持部(36)保持的基片的被电镀面的边缘部接触、将该边缘部不透水地密封的密封构件(90),以及和该基片接触而通电的阴极电极(88),还具有与基片保持部(36)一体地旋转的阴极部(38),具备水平垂直动作自由地配置在该阴极部(38)上方并向下的阳极(98)的电极臂部(30),在由基片保持部(36)保持的基片的被电镀面与接近该被电镀面的电极臂部(30)的阳极(98)之间的空间中注入电镀液的电镀液注入机构。由此,能够以单一机构进行电镀处理及在电镀处理中附带的处理。
申请公布号 CN100422389C 申请公布日期 2008.10.01
申请号 CN200410102211.2 申请日期 2000.12.25
申请人 株式会社荏原制作所;株式会社东芝 发明人 国泽淳次;小田垣美津子;牧野夏木;三岛浩二;中村宪二;井上裕章;木村宪雄;松田哲朗;金子尚史;早坂伸夫;奥村胜弥;辻村学;森田敏行
分类号 C25D5/00(2006.01);C25D7/12(2006.01);H01L21/3205(2006.01);H01L21/321(2006.01);H01L21/60(2006.01) 主分类号 C25D5/00(2006.01)
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 陈建全
主权项 1. 在基片的导电层上实施电解处理的方法,该方法包括:在电极和所述基片之间配置高电阻结构体;遮蔽高电阻结构体区域以控制基片的导电层的电场;在所述电极和所述基片的导电层之间供给电解液;和在所述电极和所述基片的导电层之间施加电压以在基片的导电层上实施电解处理。
地址 日本东京