发明名称 接触窗的形成方法
摘要 一种接触窗的形成方法,首先提供衬底,衬底上已形成至少二个导体元件,且二个导体元件之间有间隙。然后,在衬底上形成第一介电层以覆盖导体元件与间隙,其中所形成的第一介电层中具有隙缝,且隙缝是形成于间隙内。接着,移除间隙内的部分第一介电层以形成一开口,以扩大隙缝的宽度。随后,在第一介电层上形成第二介电层,且填满开口。之后,移除间隙内的部分第二介电层与部分第一介电层,直至暴露出部分衬底表面,以于相对应开口的位置形成一个接触窗开口。然后,于接触窗开口中填入导体层。
申请公布号 CN100423229C 申请公布日期 2008.10.01
申请号 CN200510131618.2 申请日期 2005.12.15
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 杨建伦;陈能国;蔡腾群;黄建中;许绍达
分类号 H01L21/768(2006.01);H01L21/28(2006.01) 主分类号 H01L21/768(2006.01)
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 陶凤波;侯宇
主权项 1. 一种接触窗的形成方法,包括:提供一衬底,该衬底上已形成有至少二导体元件,且该二导体元件之间具有一间隙;于该衬底上方形成一第一介电层,覆盖该二导体元件,且填入该间隙中,其中形成于该间隙内的该第一介电层中具有一隙缝;移除该间隙内的部分该第一介电层以形成一开口,以扩大该隙缝的宽度;于该第一介电层上形成一第二介电层,且填满该开口;移除该间隙内的部分该第二介电层与部分该第一介电层,直至暴露出部分该衬底表面,以于相对应该开口的位置形成一接触窗开口;以及于该接触窗开口中填入一导体层。
地址 中国台湾新竹科学工业园区