| 发明名称 | 用于检查等离子体处理系统中接触孔的方法和装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及在等离子体处理系统中检查在基片的第一层形成的接触部的接触孔以确定该接触部是否达到设置在第一层下方的金属层的方法。该方法包括使气体混合物流入等离子体处理系统的等离子体反应器中，该气体混合物包括含氯的气体流。该方法还包括：使来自气体混合物的等离子体放电；以及将该接触部暴露于等离子体。该方法进一步包括：在暴露之后，检测金属氯化物是否存在于该接触孔中。 | ||
| 申请公布号 | CN100423222C | 申请公布日期 | 2008.10.01 |
| 申请号 | CN200510058853.1 | 申请日期 | 2005.03.30 |
| 申请人 | 朗姆研究公司 | 发明人 | 金智洙;李相现;姜世安;比内·沃斯哈姆;严必明;礼萨·萨贾迪;彼得·K·勒文哈德特 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/66(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余刚;张英 |
| 主权项 | 1. 一种在等离子体处理系统中检查在基片的第一层形成的接触部的接触孔以确定所述接触部是否达到设置在所述第一层下方的金属层的方法，包括：使气体混合物流入所述等离子体处理系统的等离子体反应器中，所述气体混合物包括含氯的气体流；使来自所述气体混合物的等离子体放电；将所述接触部暴露于所述等离子体中；以及在所述暴露之后，检测金属氯化物是否存在于所述接触孔中。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||