| 发明名称 | 紫外线感光元件及其制造方法和紫外线量测定装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种可以将UV－A波和UV－B波这两个波长区域的紫外线量分离检测的紫外线感光元件。作为解决手段，该紫外线感光元件具有：形成于绝缘层上的厚度大于等于3nm且小于等于36nm的硅半导体层；形成于该硅半导体层上的横向PN接合形式的第1光电二极管和第2光电二极管；形成于硅半导体层上的层间绝缘膜；形成于第1光电二极管上的层间绝缘膜上，由使UV－B波以上的波长区域的光透射的氮化硅构成的第1滤光层；以及形成于第2光电二极管上的层间绝缘膜上，由使UV－A波以上的波长区域的光透射的氮化硅构成的第2滤光层。 | ||
| 申请公布号 | CN101276821A | 申请公布日期 | 2008.10.01 |
| 申请号 | CN200810009691.6 | 申请日期 | 2008.02.20 |
| 申请人 | 冲电气工业株式会社 | 发明人 | 三浦规之;千叶正 |
| 分类号 | H01L27/144(2006.01);H01L21/84(2006.01);G01J1/42(2006.01) | 主分类号 | H01L27/144(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 黄纶伟 |
| 主权项 | 1.一种紫外线感光元件，其特征在于，该紫外线感光元件具有：形成于绝缘层上的厚度大于等于3nm且小于等于36nm的硅半导体层；形成于该硅半导体层上的横向PN接合形式的第1光电二极管和第2光电二极管；形成于所述硅半导体层上的层间绝缘膜；形成于所述第1光电二极管上的所述层间绝缘膜上，由使UV-B波以上的波长区域的光透射的氮化硅构成的第1滤光层；以及形成于所述第2光电二极管上的所述层间绝缘膜上，由使UV-A波以上的波长区域的光透射的氮化硅构成的第2滤光层。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||