| 发明名称 | 非易失性存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种非易失性存储器件，其可以实现高集成度并且具有高可靠性。多个第一半导体层被堆叠在衬底上。多个第二半导体层分别被插入到多个第一半导体层之间，并且从多个第一半导体层的每一个的一端凹陷，以便在多个第一半导体层之间限定多个第一沟槽。在多个第一沟槽内部的第二半导体层表面上提供多个第一存储节点。该器件还包括多个第一控制栅电极，其形成于多个第一存储节点上，用于填充多个第一沟槽。 | ||
| 申请公布号 | CN101276819A | 申请公布日期 | 2008.10.01 |
| 申请号 | CN200810087429.3 | 申请日期 | 2008.03.27 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 韩祯希;金志永;王康龙;金桢雨;蔡洙杜;朴赞真 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01);H01L29/792(2006.01);H01L29/06(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L21/8247(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;黄启行 |
| 主权项 | 1.一种非易失性存储器件，包括：堆叠在衬底上的多个第一半导体层；多个第二半导体层，该第二半导体层分别插入到所述多个第一半导体层之间并且从所述多个第一半导体层中的每一个第一半导体层的一端凹陷，以在所述多个第一半导体层之间限定多个第一沟槽；多个第一存储节点，该第一存储节点位于所述多个第一沟槽内部的所述第二半导体层表面上；以及多个第一控制栅电极，该第一控制栅电极形成于所述多个第一存储节点上，用于填充所述多个第一沟槽。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||