| 发明名称 | 金属－氮化物薄膜的无胺沉积 | ||
| 摘要 | 一种用于形成金属碳化物层的方法，其开始以提供衬底、有机金属前体材料、至少一种掺杂剂如氮气、以及等离子体如氢等离子体。所述衬底被放置在反应室内；并加热。从而进行工艺循环，其中所述工艺循环包括脉冲有机金属前体材料到所述反应室中，脉冲掺杂剂到所述反应室中和脉冲等离子体到所述反应室之中，从而所述有机金属前体材料、所述掺杂剂和等离子体在所述衬底的表面反应以形成金属碳化物层。所述工艺循环可以被重复和变化以形成分级的金属碳化物层。 | ||
| 申请公布号 | CN101278387A | 申请公布日期 | 2008.10.01 |
| 申请号 | CN200680036474.5 | 申请日期 | 2006.09.26 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | V·杜宾;K·奥布里恩;A·拉瓦;J·多明格斯;S·约翰斯顿;J·佩克;D·汤普逊;D·彼得斯 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/285(2006.01);H01L23/532(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘锴;韦欣华 |
| 主权项 | 1.一种集成电路，包含：具有第一表面与第二表面的金属碳氮化物层，其中所述层包含分级的碳浓度与分级的氮浓度。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||