一种磁性形状记忆合金单晶及制备方法

摘要

本发明公开了一种磁性形状记忆合金的材料及其单晶制备方法。该磁性单晶材料的化学式为Ni_50+xFe_25－xGa_25+y，其中－2.00≤x≤2.00；－3.00≤y≤2.00；x、y表示原子百分比含量。其单晶制备方法包括将称好的料盛放在坩埚中，并加入SiO₂+B₂O₃玻璃，采用提拉法生长Ni_50+xFe_25－xGa_25+y单晶。本发明的单晶制备过程中加入了SiO₂+B₂O₃玻璃，有效地控制了本发明规定成分的NiFeGa材料在单晶生长过程中容易产生的第二相析出。此外，本发明提供的制备方法适用于常规的提拉晶体的设备，而不需要附加设备，因此，成本低、易于工业化批量生产。

主权项

1.一种磁性形状记忆材料，其特征在于，其化学式为Ni50+xFe25-xGa25+y；其中：-2.00≤x≤2.00；-3.00≤y≤2.00；x、y表示原子百分比含量。