高压金属氧化物半导体晶体管元件及其制造方法

摘要

本发明提供一种高压金属氧化物半导体元件工艺，包括有以下步骤：提供一半导体基底；于该半导体基底上形成一栅极介电层；于该栅极介电层上沉积一多晶硅层；于该多晶硅层上形成一栅极光掩模图案；蚀刻未被该栅极光掩模图案所覆盖的该多晶硅层以及一部分的该栅极介电层，以形成一栅极；于该栅极上形成一金属硅化阻挡光掩模图案，其覆盖该栅极以及该栅极两侧延伸偏移距离d的该栅极介电层；蚀刻未被该金属硅化阻挡光掩模图案所覆盖的该栅极介电层，并暴露出该半导体基底，以于该栅极两侧形成向外延伸偏移距离d的金属硅化阻挡耳部；于该半导体基底上沉积一金属层；以及使该金属层与该暴露出的半导体基底反应形成一金属硅化物层。

主权项

1. 一种高压金属氧化物半导体元件的制造方法，包括有以下步骤：提供一半导体基底；于该半导体基底上形成一栅极介电层，厚度为t1；于该栅极介电层上沉积一多晶硅层；于该多晶硅层上形成一栅极光掩模图案；蚀刻未被该栅极光掩模图案所覆盖的该多晶硅层以及一部分厚度的该栅极介电层，以形成一栅极；去除该栅极光掩模图案；于该栅极上形成一金属硅化阻挡光掩模图案，其覆盖该栅极以及向该栅极两侧延伸偏移距离d的该栅极介电层；蚀刻未被该金属硅化阻挡光掩模图案所覆盖的该栅极介电层，并暴露出该半导体基底，以于该栅极两侧形成向外延伸偏移距离d的金属硅化阻挡耳部，其厚度为t2，其中t2小于t1；于该半导体基底上沉积一金属层；以及进行一热工艺，使该金属层与该暴露出的半导体基底反应形成一金属硅化物层，且该金属硅化物层与该栅极的距离为d。