半导体装置及其安装体

摘要

本发明提供一种具有柱状电极的半导体装置，所述柱状电极具有仅与柱状部的上表面接合的球状的低熔点层。当设各低熔点层(24)的体积为A、各柱状部(22)的上表面的面积为B时，通过调整低熔点层(24)的镀敷量和柱状部(22)的截面面积以满足A≤1.3×B^1.5的关系，由此，当低熔点层(24)通过软熔形成球状时，可以防止该低熔点层(24)流淌到柱状部(22)的侧表面。

主权项

1. 一种半导体装置，具有多个被设置在半导体基板上的柱状电极，所述半导体装置的特征在于：上述柱状电极具有柱状部和金属球部，所述柱状部由导电材料构成；所述金属球部由熔点比上述柱状部低的导电材料形成，并被接合在上述柱状部的上表面上；当设上述金属球部的体积为A、上述柱状部的上表面的面积为B、在上述柱状部的上表面上形成的起伏部的体积为E时，上述柱状电极具有A-E≤1.3×B15的关系。