| 发明名称 | SiO<SUB>x</SUB>:Si溅射靶材及其制造及使用方法 | ||
| 摘要 | 本发明在保护性环境中融结二氧化硅和导电的掺杂硅从而生成复合的SiO<SUB>2</SUB>:Si材料，其具有SiO<SUB>2</SUB>的特性，而又由于Si的存在而导电。这样的复合材料用作DC和/或AC溅射工艺中的靶材以生产用于触摸屏等应用中的导电二氧化硅薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101278069A | 申请公布日期 | 2008.10.01 |
| 申请号 | CN200680036077.8 | 申请日期 | 2006.08.11 |
| 申请人 | 温特克光电公司 | 发明人 | 戴维·E·史蒂文森;利·Q·周 |
| 分类号 | C23C14/00(2006.01);C23C14/10(2006.01);C23C14/14(2006.01);C23C14/34(2006.01);H01L21/31(2006.01) | 主分类号 | C23C14/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 邓琪 |
| 主权项 | 1、一种导电溅射靶材，包括：二氧化硅微粒与导电掺杂硅微粒的结合，其融合为至少90％完全理论密度的烧结的压实物，并且具有大约200Ω.cm或更小的电阻率。 | ||
| 地址 | 美国密歇根州 | ||