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发明名称 HIGH WITHSTAND-VOLTAGE MOS TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURE AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURE
摘要
申请公布号 JPH04218957(A) 申请公布日期 1992.08.10
申请号 JP19910036286 申请日期 1991.03.01
申请人 FUJITSU LTD 发明人 IKEMASU SHINICHIROU
分类号 H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/78 主分类号 H01L21/8234
代理机构 代理人
主权项
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