| 发明名称 | 薄膜电容器及制造方法、和薄膜电容器嵌入式印刷电路板 | ||
| 摘要 | 本发明提供了在泄漏电流特性方面有所改进的薄膜电容器和电容器嵌入式印刷电路板。介电层由不需高温热处理就具有预定介电常数的BiZnNb－基非晶质金属氧化物制成，并且调整BiZnNb－基非晶质金属氧化物的金属相铋含量以获得期望的介电常数。同样，可形成具有不同金属相铋含量的另一介电层。所述薄膜电容器包括：第一电极；包括形成于所述第一电极上的第一介电膜的介电层，所述介电层包括BiZnNb－基非晶质金属氧化物；以及形成于所述介电层上的第二电极，其中所述BiZnNb－基非晶质金属氧化物包含金属相铋。 | ||
| 申请公布号 | CN101276690A | 申请公布日期 | 2008.10.01 |
| 申请号 | CN200810088819.2 | 申请日期 | 2008.03.28 |
| 申请人 | 三星电机株式会社 | 发明人 | 李承恩;郑栗教;李汀苑;李寅衡;宋秉翼 |
| 分类号 | H01G4/33(2006.01);H01G4/10(2006.01);H01G4/008(2006.01);H05K1/16(2006.01);H05K1/18(2006.01);C23C14/46(2006.01);H01G13/00(2006.01) | 主分类号 | H01G4/33(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 章社杲;吴贵明 |
| 主权项 | 1.一种薄膜电容器，包括：第一电极；包括形成在所述第一电极上的第一介电膜的介电层，所述介电层包含BiZnNb-基非晶质金属氧化物；以及形成在所述介电层上的第二电极，其中，所述BiZnNb-基非晶质金属氧化物含有金属相铋。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||