发明名称 |
防止晶边区膜层剥落的半导体制造方法与内连线制作方法 |
摘要 |
一种防止晶边区膜层剥落的半导体制造方法,首先,于基底的正面上形成一层介电层。然后,形成一层光致抗蚀剂层,此光致抗蚀剂层覆盖基底的正面与部分背面。之后,仅对基底的背面进行洗边步骤,以去除基底的背面上的光致抗蚀剂层,而保留位于晶边区的光致抗蚀剂层。 |
申请公布号 |
CN100423193C |
申请公布日期 |
2008.10.01 |
申请号 |
CN200510103921.1 |
申请日期 |
2005.09.15 |
申请人 |
联华电子股份有限公司 |
发明人 |
陈彦宏;颜文彬;曾素玲 |
分类号 |
H01L21/027(2006.01);H01L21/768(2006.01);G03F7/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/027(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波;侯宇 |
主权项 |
1. 一种防止晶边区膜层剥落的半导体制造方法,包括:提供一基底,该基底具有一正面与一背面,其中该正面包括该基底的一上表面与该基底的一侧边上半部,而该背面包括该基底的一下表面与该基底的一侧边下半部,且该上表面具有一晶边区与一中心区,该晶边区环绕该上表面外缘;于该基底的该正面上形成一介电层;形成一光致抗蚀剂层,该光致抗蚀剂层覆盖该基底的该正面、该侧边下半部与部分该下表面;以及仅对该基底的该背面进行一洗边步骤,以去除该基底的该背面上的该光致抗蚀剂层,保留位于该晶边区的该光致抗蚀剂层。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园区 |