| 发明名称 | 电容器及制造电容器的方法 | ||
| 摘要 | 一电容器，其系包括一半导体衬底(114)，而在该衬底(114)之中系形成有一沟渠(112a、112b)，并且，该衬底(114)系经由该沟渠(112a、112b)而被掺杂。一介电层(118)系覆盖于该沟渠(112a、112b)之表面，其中一导电材质(120a、120b)系更进一步地被配置于该沟渠之中。在该电容器中亦形成有一第一接触结构(126)，其系以导电的方式接触在该沟渠(112a、112b)中的该导电材质(120a、120b)，以及一第二接触结构(130)，其系以导电的方式接触该已掺杂之半导体衬底(114)。该电容器系具有电极的低串联电阻，并且可以一简单的方式而加以制造。 | ||
| 申请公布号 | CN100423211C | 申请公布日期 | 2008.10.01 |
| 申请号 | CN02823791.9 | 申请日期 | 2002.11.14 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | C·阿伦斯;W·哈通;C·赫祖姆;R·洛塞汉德;A·鲁格梅 |
| 分类号 | H01L21/334(2006.01);H01L29/94(2006.01) | 主分类号 | H01L21/334(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;张志醒 |
| 主权项 | 1. 一种电容器，其包括：一已掺杂的半导体衬底(114；134)；在该衬底(114；134)中的一沟渠(112、112a、112b；312、312a、312b)与一虚设沟渠(116、116a、116b；316、316a、316b)；一掺杂区域与另一掺杂区域，所述掺杂区域与所述另一掺杂区域是在一掺杂步骤中通过该沟渠(112、112a、112b；312、312a、312b)与该虚设沟渠(116、116a、116b；316、316a、316b)掺杂该衬底而产生；一介电层(118；318)，覆盖该沟渠(112、112a、112b；312、312a、312b)的表面以及该虚设沟渠(116、116a、116b；316、316a、316b)的表面；一导电材质(120a、120b；320a、320b)，位于该沟渠(112、112a、112b；312、312a、312b)中；一第一接触结构(126；326)，其以导电的方式接触在该沟渠(112、112a、112b；312、312a、312b)中的该导电材质(120a、120b；320a、320b)；以及一第二接触结构(130；330)，其以导电的方式接触接近该虚设沟渠(116、116a、116b；316、316a、316b)且经由该虚设沟渠(116、116a、116b；316、316a、316b)并藉由掺杂程序而产生的该掺杂区域。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||