| 发明名称 | 一种抗辐射BTS SOI CMOS器件结构 | ||
| 摘要 | 一种抗辐射BTS SOI CMOS器件结构，涉及抗辐射SOI CMOS器件技术，特别是涉及一种新的抗辐射BTS SOI CMOS器件结构。本发明受到总装备部装备预先研究项目经费资助。按照本发明所提供的设计方案，在结构的中部为多晶区，在多晶区的右侧为漏端，在多晶区的左侧为源端，其特征是：在漏端N+有源区上有一个漏端接触孔，漏端接触孔上有引出导线，在源端N+有源区上有一个源端接触孔，在源端N+有源区的上下两侧各有一个第一P+有源区，在源端N+有源区的左侧为第二P+有源区，两块第一P+有源区由第二P+有源区引出，源端N+有源区与第二P+有源区上有两个并在一起的接触孔，把源端N+有源区与两块第一P+有源区连接在一起，在该并在一起的接触孔上同样有引出导线。 | ||
| 申请公布号 | CN100423274C | 申请公布日期 | 2008.10.01 |
| 申请号 | CN200610038106.6 | 申请日期 | 2006.01.27 |
| 申请人 | 无锡中微晶园电子有限公司 | 发明人 | 肖志强;洪根深;孙锋 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 无锡市大为专利商标事务所 | 代理人 | 曹祖良 |
| 主权项 | 1. 一种抗辐射BTS SOI CMOS器件结构，在结构的中部为多晶区(3)，在多晶区(3)的右侧为漏端，在多晶区(3)的左侧为源端，其特征是：在漏端N+有源区(1)上有一个漏端接触孔(4)，漏端接触孔(4)上有引出导线，在源端N+有源区(1)上有一个源端接触孔(4)，在源端N+有源区(1)的上下两侧各有一个第一P+有源区(5)，在源端N+有源区(1)的左侧为第二P+有源区(2’)，两块第一P+有源区(5)由第二P+有源区(2’)引出，源端N+有源区(1)与第二P+有源区(2’)上有两个并在一起的接触孔(4)，把源端N+有源区(1)与两块第一P+有源区(5)连接在一起，在该并在一起的接触孔(4)上同样有引出导线。 | ||
| 地址 | 214035江苏省无锡市新区长江路21号A座203室 | ||