| 发明名称 | 半导体发光装置 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体发光装置包括：第一LED芯片，其发出的光通过荧光物质层进行波长变换，荧光物质层是通过涂敷并固化含有荧光物质的流体材料形成的；以及第二LED芯片，其发出的光不通过荧光物质层进行波长变换，其中第一LED芯片和第二LED芯片以如下方式布置在衬底上：在衬底上，第二LED芯片发光层的高度高于第一LED芯片顶部表面的高度。 | ||
| 申请公布号 | CN101276808A | 申请公布日期 | 2008.10.01 |
| 申请号 | CN200710199479.6 | 申请日期 | 2007.12.13 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 石仓卓郎;伊藤富博 |
| 分类号 | H01L25/00(2006.01);H01L25/075(2006.01);H01L21/50(2006.01) | 主分类号 | H01L25/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 陈瑞丰 |
| 主权项 | 1.一种半导体发光装置，包括：第一LED芯片，其发出的光通过荧光物质层进行波长变换，荧光物质层是通过涂敷并固化含有荧光物质的流体材料形成的；以及第二LED芯片，其发出的光不通过荧光物质层进行波长变换，其中，第一LED芯片和第二LED芯片以如下方式布置在衬底上：在衬底上，第二LED芯片发光层的高度高于第一LED芯片顶部表面的高度。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||