一种双自由层垂直铁磁性隧道结结构

摘要

一种双自由层垂直铁磁性隧道结结构，属于磁随机存储技术领域，所提供的双自由层垂直铁磁性隧道结(MTJ)结构的最底层为底电极层，从底往上依次为反铁磁层、钉扎层、为绝缘层、第1自由层、第2自由层、顶电极层。第1自由层和第2自由层构成双自由层结构。所述钉扎层和第1自由层为磁各向异性易轴垂直膜面材料，第2自由层为各向异性值大于35KA/m的面内磁各向异性材料。这种结构具有低写入电流特性，可实现超高存储密度，将被广泛应用到新型磁传感器或磁随机存储器件等器件中。

主权项

1. 一种双自由层垂直铁磁性隧道结结构，其特征在于：a.最底层为底电极层，厚度为10～200纳米；b.从底往上第二层为反铁磁层，厚度为10～20纳米；c.从底往上第三层为钉扎层，所述钉扎层为磁各向异性易轴垂直膜面材料；d.从底往上第四层为绝缘层，厚度为0.5～2.5纳米；e.从底往上第五层为第1自由层，厚度为1～10纳米；f.从底往上第六层为第2自由层，厚度为1～10纳米；g.从底往上第七层为顶电极层，厚度为10～200纳米；其中所述第五层和所述第六层构成双自由层结构，所述第1自由层为磁各向异性易轴垂直膜面材料，所述第2自由层为各向异性值大于35KA/m的面内磁各向异性材料。