| 发明名称 | 用于TFT铜栅工艺的无电镀NiWP粘附层和覆盖层 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于TFT铜栅工艺的无电镀NiWP层。该NiWP层的沉积过程包括以下步骤：(a)使用例如紫外光、臭氧溶液和/或碱性混合物溶液清洗基底表面，(b)使用例如稀酸微刻蚀基底表面，(c)使用例如SnCl<SUB>2</SUB>和PdCl<SUB>2</SUB>溶液催化基底表面，(d)使用还原剂溶液调理基底表面，和(e)沉积NiWP。已发现在一定条件下沉积的NiWP层能够提供对玻璃基底和对Cu层的良好粘附性并具有良好的铜阻挡性能。NiWP层可用于TFT铜栅工艺(例如平板显示器面板的)的粘附、覆盖和/或阻挡层。 | ||
| 申请公布号 | CN101278074A | 申请公布日期 | 2008.10.01 |
| 申请号 | CN200580051047.X | 申请日期 | 2005.07.13 |
| 申请人 | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司;财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 那须昭宣;陈玄芳;陈易聪;林则安;熊炯声 |
| 分类号 | C23C18/50(2006.01);C23C18/18(2006.01);C23C18/54(2006.01) | 主分类号 | C23C18/50(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 隗永良;林柏楠 |
| 主权项 | 1、在基底如玻璃和/或铜上沉积NiMP层的方法，M是选自W、Mo、Re的有机金属分子，步骤包括：a)可选地清洗基底，b)可选地微刻蚀基底，c)在基底上沉积催化层，d)用调理溶液调理基底，e)通过使所述基底或其某个部分与包含Ni、M和/或P前体的浴混合物接触，在基底上沉积NiMP层，以获得包含55-96％wt Ni、3-20％wt P和1-25％wt M的层。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||