| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法与电容器结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体器件及其制造方法与电容器结构及其制造方法。该半导体器件包括转接板和半导体芯片。转接板包括：Si衬底；多个通路，通过绝缘材料在穿过Si衬底的相应通孔中设置；薄膜电容器，设置于Si衬底的第一主表面上，以使其电连接至通路；以及多个外部连接端子，设置于Si衬底的第二主表面上，以使其电连接至通路。第二主表面背对第一主表面。半导体芯片设置于第一主表面或第二主表面上，以使其电连接至通路。其中Si衬底的厚度小于通孔的直径。由此，可提供可高频运行及可低成本制造的半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN100423254C | 申请公布日期 | 2008.10.01 |
| 申请号 | CN200510125088.0 | 申请日期 | 2005.11.18 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 栗原和明;盐贺健司;约翰·D·巴尼基 |
| 分类号 | H01L23/50(2006.01);H01L23/12(2006.01);H01L25/04(2006.01);H01L21/60(2006.01);H05K1/16(2006.01) | 主分类号 | H01L23/50(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军;郑特强 |
| 主权项 | 1. 一种半导体器件，包括转接板和半导体芯片，该转接板包括：Si衬底；多个通路，这些通路通过绝缘材料在穿过该Si衬底的相应通孔中设置；薄膜电容器，其设置于该Si衬底的第一主表面上，以使其电连接至所述通路；以及多个外部连接端子，其设置于该Si衬底的第二主表面上，以使其电连接至所述通路，该第二主表面背对该第一主表面，该半导体芯片设置于该第一主表面或该第二主表面上，以使其电连接至所述通路，其特征在于：该Si衬底的厚度小于所述通孔的直径。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||