| 发明名称 | 双功函数半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种双功函数半导体装置的制造方法，包括：提供第一区域于半导体基底中，且包括至少一个第一电极；提供至少一个第二区域于该半导体基底中，且包括至少一个第二电极；提供第一金属层于该第一区域的第一电极之上且该第一金属层包括至少一个第一金属和至少一个第一功函数调整元素；提供第二金属层于该第二区域的第二电极之上且该第二金属层包括至少一个第二金属；以及对该第一电极施以第一硅化工艺，且对该第二电极施以第二硅化工艺，其中该第一硅化工艺和该第二硅化工艺同时进行。本发明的优点在于通过使用一合金材料的硅化工艺，可使得栅极电极的功函数值具有较广的调整范围。 | ||
| 申请公布号 | CN101276786A | 申请公布日期 | 2008.10.01 |
| 申请号 | CN200710194671.6 | 申请日期 | 2007.11.29 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司;跨大学校际微电子卓越研究中心 | 发明人 | 张守仁;于洪宇 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01);H01L21/8238(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈晨 |
| 主权项 | 1.一种双功函数半导体装置的制造方法，包括：提供至少一个第一区域于半导体基底中，且包括至少一个第一电极；提供至少一个第二区域于所述半导体基底中，且包括至少一个第二电极；提供第一金属层于所述第一区域的第一电极之上且所述第一金属层包括至少一个第一金属和至少一个第一功函数调整元素；提供第二金属层于所述第二区域的第二电极之上且所述第二金属层包括至少一个第二金属；以及对所述第一电极施以第一硅化工艺，且对所述第二电极施以第二硅化工艺，其中所述第一硅化工艺和所述第二硅化工艺同时进行。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||