非水电解质二次电池及其负极的检查方法、制造方法、负极的检查装置及制造装置

摘要

本发明涉及非水电解质二次电池及其负极的检查方法、制造方法、负极的检查装置及制造装置，特别涉及将硅(Si)和硅化合物等具有高容量密度的活性物质用于负极的非水电解质二次电池的性能的稳定化。在所述非水电解质二次电池用负极的检查方法中，将X射线照射于活性物质层上，其中所述活性物质层在由包含铜、镍、钛、铁之中的至少任一种的金属构成的集电体上，且由硅、或能够以电化学的方式嵌入和脱嵌锂离子的组成已知的硅化合物构成；并且对由所述活性物质层产生的荧光X射线中的、作为集电体中含有的金属的荧光X射线的Cu Kα线、Ni Kα线、Ti Kα线、Fe Kα线之中的任一种的衰减量进行测定。

主权项

1.一种非水电解质二次电池用负极的检查方法，其包括：将X射线照射于活性物质层上的步骤，其中所述活性物质层在由包含铜、镍、钛、铁之中的至少任一种的金属构成的集电体上，且由硅、或能够以电化学的方式嵌入和脱嵌锂离子的组成已知的硅化合物构成；对由所述活性物质层产生的荧光X射线中的、作为所述集电体中含有的金属的荧光X射线的Cu Kα线、Ni Kα线、Ti Kα线、Fe Kα线之中的任一种的衰减量进行测定，以推定所述集电体在每单位面积上的硅或所述硅化合物的沉积量的步骤。