| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置及其制造方法。由于在现有的半导体装置中构成分离区域的P型埋置扩散层的横方向扩散宽度会扩宽等，存在难于使分离区域的形成区域变窄这样的问题。在本发明的半导体装置中，在P型单晶硅衬底(6)上形成外延层(7)。在衬底6及外延层(7)中形成分离区域(1、2、3)，划分成多个元件形成区域。连结P型埋置扩散层(8、9)及P型扩散层(10)，形成分离区域(1)。然后，通过在P型埋置扩散层(8)和P型扩散层(10)之间配置P型埋置扩散层(9)，从而使P型埋置扩散层(8)的横方向扩散宽度W1变窄。利用此结构，可使分离区域(1)的形成区域变窄。 | ||
| 申请公布号 | CN101276814A | 申请公布日期 | 2008.10.01 |
| 申请号 | CN200710185780.1 | 申请日期 | 2007.12.21 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 | 发明人 | 相马充;畑博嗣;天辰芳正 |
| 分类号 | H01L27/06(2006.01);H01L21/822(2006.01);H01L21/76(2006.01) | 主分类号 | H01L27/06(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置，其特征在于，包括：一导电类型的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成的相反导电类型的外延层；将所述外延层划分成多个元件形成区域的一导电类型的分离区域，所述分离区域连结跨越所述半导体衬底和所述外延层形成的一导电类型的第1埋置扩散层、在所述外延层中形成的一导电类型的第2埋置扩散层以及在所述外延层中形成的一导电类型的第1的扩散层而形成。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||