一种生长ZnO单晶、微晶薄膜及其p型掺杂的方法

摘要

本发明属于半导体材料与器件技术领域，涉及一种闭管化学气相传输法生长ZnO单晶、微晶薄膜及其p型掺杂的方法。其特征是，在一端封闭的石英管内，放置高纯ZnO粉和清洗过的所需衬底，所放位置由源区、生长区温度及控温炉的温度梯度决定，然后将石英管接真空系统，真空度低于10^－2Pa后用氢氧焰封闭，将完全封闭的石英管放入控温炉内升温加热，控制温度分布及生长时间进行ZnO单晶、微晶薄膜的生长，在生长源内或其他温区内放置掺杂源可以实现ZnO的p型掺杂。本发明的效果和益处是采用的闭管化学气相传输法具有工艺简单、设备成本低、生长速度快、无毒无污染等优点。

主权项

1、一种生长ZnO单晶、微晶薄膜及其p型掺杂的方法，其特征是，在一端封闭的石英管内，放置纯度99％以上ZnO粉和清洗过的生长衬底；将石英管接真空系统，真空度低于10-2Pa后用氢氧焰封闭开口的一端；将完全封闭的石英管升温加热，ZnO源区温度控制在1000-1100℃；将衬底温度控制在400-800℃，进行ZnO单晶、微晶薄膜的生长；生长晶体的尺寸生长时间控制在0.5-24小时，放置掺杂源实现ZnO的p型掺杂。