发明名称 发光二极管
摘要 一种发光二极管,包含一衬底、载设于该衬底的芯片、一透光层与一导光层。该透光层覆盖于该芯片上,并包含一导槽,该导槽形成于该透光层的一顶面,并具有一槽底及一槽壁,该槽壁自该槽底倾斜延伸连接至该透光层的顶面。该导光层形成于该透光层之导槽的槽壁上,该芯片所发出的光源投射在该导光层上,经导光作用而向外散射,使发光二极管的光源以多方向照射。
申请公布号 CN201126827Y 申请公布日期 2008.10.01
申请号 CN200720177005.7 申请日期 2007.09.05
申请人 亿光电子工业股份有限公司 发明人 邹文杰;许嘉芸;陈锦庆;张正宜
分类号 H01L33/00(2006.01);H01L25/075(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 上海光华专利事务所 代理人 余明伟
主权项 1、一种发光二极管,其特征在于包括:一绝缘的衬底;至少一芯片,载设于该衬底上;一透光层,覆盖于该芯片上,并包含一导槽,该导槽形成于该透光层的一顶面,并具有一槽底及一槽壁,该槽壁自该槽底倾斜延伸连接至该透光层的顶面;以及至少一导光层,形成于该透光层之导槽的槽壁上,该芯片所发出的光源投射在该导光层上,经导光作用而向外散射。
地址 中国台湾台北县土城市中央路三段76巷25号