发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
摘要 |
一种可靠性高,能实现更小型装置的半导体装置及其制造方法。在半导体衬底1的表面上形成例如发光元件作为器件元件。具体地说,半导体衬底1的表面上形成N型半导体层2、P型半导体层3、以及焊盘电极4、5。半导体衬底11的表面上形成例如接收上述发光元件发出的光的器件元件10(例如光电二极管元件)和焊盘电极13作为器件元件。半导体衬底1和半导体衬底11通过粘接层15进行胶合并一体化。沿着半导体衬底11的侧面,形成与焊盘电极13电连接的布线层18,和与焊盘电极4、5电连接的布线层19。 |
申请公布号 |
CN101276807A |
申请公布日期 |
2008.10.01 |
申请号 |
CN200710185779.9 |
申请日期 |
2007.12.27 |
申请人 |
三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 |
发明人 |
野间崇 |
分类号 |
H01L25/00(2006.01);H01L25/16(2006.01);H01L23/10(2006.01);H01L31/12(2006.01);H01L21/50(2006.01);H01L21/60(2006.01);H01L21/78(2006.01);B81C1/00(2006.01);B81B7/00(2006.01);B81B7/02(2006.01) |
主分类号 |
H01L25/00(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波 |
主权项 |
1.一种半导体装置,其特征在于,具备:在其表面上形成有第一器件元件的第一衬底,以及在其表面上形成有第二器件元件的第二衬底,所述第一衬底的表面侧和所述第二衬底的表面侧面对面,通过粘接层胶合。 |
地址 |
日本大阪府 |