| 发明名称 | 基板处理方法、光掩膜的制造方法及光掩膜、以及元件制造方法 | ||
| 摘要 | 根据既定图案投影像的尖锐特性来预测元件线宽特性(步骤104～110)，再根据所预测的元件线宽特性来调整该图案的曝光条件(步骤112)。并以经调整的曝光条件进行曝光，即利用该图案的投影像进行基板上光刻胶的图案化(步骤114)。由此进行该图案化后基板的显影，于基板上形成满足所期望元件线宽特性的光刻胶图案。因此，以该光刻胶图案作为光掩膜进行基板的刻蚀，即可以所期望线宽形成刻蚀后的图案。 | ||
| 申请公布号 | CN101278375A | 申请公布日期 | 2008.10.01 |
| 申请号 | CN200680036332.9 | 申请日期 | 2006.11.16 |
| 申请人 | 株式会社尼康 | 发明人 | 蛭川茂 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01);G03F1/08(2006.01);G03F7/20(2006.01) | 主分类号 | H01L21/027(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 任默闻 |
| 主权项 | 1.一种基板处理方法，该方法包含通过曝光进行基板上的光刻胶的图案化步骤，其特征在于，所述方法包含：根据既定图案的投影像的尖锐特性来预测元件线宽特性的步骤；以及根据所预测的元件线宽特性来调整所述图案的曝光条件的步骤。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||