具快速反应之电流感测放大器

摘要

一种具快速反应之电流感测放大器，用于诸如记忆装置之感测，包括－第一放大器 (A1)与－第二放大器 (A2)，分别耦接－第一感测电晶体M1与一第二感测电晶体M2，其中 M1电晶体之尺寸较之M2电晶体者小，而A1之跳脱电压 Vtrip 1 较之A2之Vtrip 2 略小，－高阻抗之负荷 (2')耦接于M1之汲极，其压降做为讯号放大之依据。

主权项

1﹒一种具快速反应之电流感测放大器,包含:第一 放大器耦接于一第一感测 电晶体,该感测电晶体之汲极接有一负荷,其源极 耦接于一信号源,且其 汲极之输出耦接至一比较器,以与以一参考电压比 较,其特征在于包括一 第二放大器耦接一第二感测电晶体,第二放大器之 跳脱电压Vtrip2 较第一放大器之跳脱电压Vtripl略小。 2﹒根据申请专利范围第1项之电流感测放大器,其 中该信号源为一记忆单元 。 3﹒根据申请专利范围第1项之电流感测放大器,其 中该等放大器为反相器。 4﹒根据申请专利范围第1项之电流感测放大器,其 中该等放大器为反或闸。 5﹒根据申请专利范围第1项之电流感测放大器,其 中该负荷为NMOS电晶 体。 6﹒根据申请专利范围第1项之电流感测放大器,其 中该负荷为PMOS电晶 体。图示简单说明 图1为习知技术电流感测器之电路图; 图2为图1所示习知电流感测器之位元 线电压对感测信号之反应图; 图3为习知技术另一改良电流感测器之 电路图; 图4为依据本创作具有快速反应之电流 电测器之电路图;以及 图5为本创作电流感测器之电压转换图