| 发明名称 | 用于形成硅－钴膜的组合物、硅－钴膜及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种不需要高价的真空装置或高频发生装置、并且制造成本低的用于形成硅-钴膜的组合物和方法。所述用于形成硅-钴膜的组合物含有硅化合物和钴化合物。将该组合物涂布在基体上，通过热和光进行处理时，形成硅-钴膜。 | ||
| 申请公布号 | CN100423199C | 申请公布日期 | 2008.10.01 |
| 申请号 | CN200480030494.2 | 申请日期 | 2004.10.06 |
| 申请人 | JSR株式会社 | 发明人 | 松木安生;王道海;酒井达也;岩泽晴生 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/288(2006.01);B05D3/00(2006.01);B32B15/01(2006.01);C01B33/04(2006.01);C07F17/02(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 邰红;邹雪梅 |
| 主权项 | 1. 一种用于形成硅一钴膜的组合物，其特征在于，含有硅化合物和钴化合物，其中上述硅化合物是选自下述(1a)～(1d)表示的化合物中的至少1种，SiiX2i+2 (1a)其中，X为氢原子、卤原子或一价的有机基团，并且，i为2或2以上的整数； SijX2j (1b)其中，X为氢原子、卤原子或一价的有机基团，并且，j为3或3以上的整数；SimX2m-2 (1c)其中，X为氢原子、卤原子或一价的有机基团，并且，m为4或4以上的整数；SikXk (1d)其中，X为氢原子、卤原子或一价的有机基团，并且，k为6或8或10。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||