| 发明名称 |
STRUCTURE DE TRANCHEE SENSIBLEMENT REMPLIE DE MATIERE A HAUTE CONDUCTIVITE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2799304(B1) |
申请公布日期 |
2008.09.26 |
| 申请号 |
FR20000008387 |
申请日期 |
2000.06.29 |
| 申请人 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION |
发明人 |
MO BRIAN S |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/285;H01L21/335;H01L21/336;H01L21/762;H01L29/423;H01L29/43;H01L29/49;H01L29/51;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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