| 发明名称 | 增强模式Ⅲ族氮化物场效应晶体管 | ||
| 摘要 | Ⅲ族氮化物开关包括一个带凹槽的栅极接触，来产生一个名义上截止的、或者是一个增强模式的器件。通过提供一个带凹槽的栅极接触，当栅电极不活跃而阻止器件中的电流时，形成在两个Ⅲ族氮化物材料界面上的导通沟道被阻断。该栅电极可以是一个肖特基接触或者是一个绝缘的金属接触。两个栅电极可以被提供来形成一个具有名义上截止特性的双向开关。形成在栅电极上的凹槽具有倾斜的侧面。该栅电极以很多几何形状来形成，与器件的载流电极相连接。 | ||
| 申请公布号 | CN101273458A | 申请公布日期 | 2008.09.24 |
| 申请号 | CN200580006925.6 | 申请日期 | 2005.01.24 |
| 申请人 | 国际整流器公司 | 发明人 | 罗伯特·比克 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01);H01L29/08(2006.01);H01L29/49(2006.01);H01L29/74(2006.01);H01L29/735(2006.01);H01L31/0328(2006.01);H01L31/0336(2006.01);H01L31/072(2006.01);H01L31/109(2006.01);H01L31/111(2006.01) | 主分类号 | H01L29/06(2006.01) |
| 代理机构 | 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人 | 颜涛;郑霞 |
| 主权项 | 1. 一种增强模式III族氮化物器件，包括：形成在第一III族氮化物材料和第二III族氮化物材料之间界面的导通沟道，这二种III族氮化物材料具有不同的平面内晶格常数或不同的带隙；耦合至沟道的载流电极，以承载沟道电流；耦合至沟道并且可操作的栅电极，以影响传导通道从而允许或者禁止传导沟道中的电流传导；和形成于III族氮化物层中的一个上的变更，这样当栅电极不活跃的时候，界面上的传导沟道被阻断。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||