| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置，具有在高电源电压电路部形成至少一个阱区域和MOS型晶体管的沟槽隔离结构，其中，在阱区域的端部附近具有用于防止闭锁的载流子捕获区域，载流子捕获区域的深度比沟槽隔离区域的深度深。此外，在高电源电压电路部内形成的载流子捕获区域与在高电源电压电路部形成的MOS型晶体管的源极或漏极区域用相同的扩散层形成。 | ||
| 申请公布号 | CN101271894A | 申请公布日期 | 2008.09.24 |
| 申请号 | CN200810096686.3 | 申请日期 | 2008.02.13 |
| 申请人 | 精工电子有限公司 | 发明人 | 鹰巢博昭;井上成人;山本祐广 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01);H01L27/092(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王岳;刘宗杰 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，具有高电源电压电路部和低电源电压电路部，具有利用沟槽隔离区域对所述高电源电压电路部和所述低电源电压电路部的各元件进行元件隔离的沟槽隔离结构，在所述高电源电压电路部形成至少一个阱区域和MOS型晶体管，其特征在于，在所述阱区域的端部附近具有用于防止闭锁的载流子捕获区域，所述载流子捕获区域的深度比所述沟槽隔离区域的深度深。 | ||
| 地址 | 日本千叶县千叶市 | ||