| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在半导体基板(1)的上方形成有具备了下部电极(9a)、铁电膜(10a)和上部电极(11a)的铁电电容器，铁电膜(10a)由添加了0.1摩尔％至5摩尔％的La、添加了0.1摩尔％至5摩尔％的Nb的CSPZT构成。 | ||
| 申请公布号 | CN100421236C | 申请公布日期 | 2008.09.24 |
| 申请号 | CN200480041890.5 | 申请日期 | 2004.05.28 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 王文生 |
| 分类号 | H01L21/8239(2006.01);H01L27/105(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8239(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张龙哺 |
| 主权项 | 1. 一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体基板；铁电电容器，其形成在所述半导体基板的上方，所述铁电电容器具有：铁电膜，其是在化学式以ABO3表示的物质中添加La和Nb而构成的；第一上部电极膜，其形成在所述铁电膜上，并且含有氧化物；第二上部电极膜，其形成在所述第一上部电极膜上，并且含有氧化物，所述第一上部电极膜中的氧元素浓度低于所述第二上部电极膜中的氧元素浓度。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||