| 发明名称 | 半导体集成电路装置 | ||
| 摘要 | 一种半导体集成电路装置，包括：第一和第二非易失性存储元件；第一放大器，用于放大第一非易失性存储元件的输出信号，以输出放大了的信号；以及第二放大器，用于向第一放大器输出控制信号，该控制信号是通过放大第二非易失性存储元件的输出信号而产生的。第二放大器基于存储在第二非易失性存储元件中的数据，将第一放大器的输出信号固定在高电势或低电势。 | ||
| 申请公布号 | CN100421176C | 申请公布日期 | 2008.09.24 |
| 申请号 | CN200410074129.3 | 申请日期 | 2004.08.31 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 白滨政则;县政志;川崎利昭;西原龙二 |
| 分类号 | G11C11/34(2006.01);G11C29/00(2006.01) | 主分类号 | G11C11/34(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 酆迅 |
| 主权项 | 1. 一种半导体集成电路装置，包括：第一和第二非易失性存储元件；第一放大器，用于放大第一非易失性存储元件的输出信号，以输出放大了的信号；以及第二放大器，将通过放大第二非易失性存储元件的输出信号而产生的信号作为控制信号向第一放大器输出，其中，通过上述控制信号，第二放大器基于存储于第二非易失性存储元件中的数据将第一放大器的输出信号固定在高电势或低电势。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||