| 主权项 |
1.一种将氮化钛化学气相沈积于半导体基板上之 方法,包 括:于该基板表面上通过四氯化钛、氨及稀释剂之 气相反 应混合物的总气相流速为1 slm至50slm,其中该气相 反应 混合物含稀释剂为莫耳过量,及氨浓度于莫耳基础 上至少 与四氯化钛相当;将该基板表面维持于摄氏500度至 200度 之温度;于该基板上形成并维持一低于或等于4公 分之边 界层。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中反应 器为旋转盘 反应器,而且该四氯化钛、氨及稀释剂系强迫与基 板表面 呈垂直。3.根据申请专利范围第2项之方法,其中基 板系以约150 至约1500rpm之速率旋转。4.根据申请专利范围第2项 之方法,其中稀释剂气体系选 自氢、氦、氩及氮。5.根据申请专利范围第3项之 方法,其中温度系约摄氏 450度。6.根据申请专利范围第1项之方法,其中气体 混合物系水 平通过基板之表面。7.根据申请专利范围第6项之 方法,其中温度系维持于约 摄氏450度。8.根据申请专利范围第7项之方法,其中 稀释剂气体为氮 。9.一种将氮化钛化学气相沉积于半导体基板上 之方法,包 括:强迫四氯化钛、氨及稀释剂之气相反应混合物 向下朝 着基板表面流去的总气相流速为1 slm至50 slm,其中 该 气相反应混合物含稀释剂为莫耳过量,及氨浓度于 莫耳基 础上至少与四氯化钛相当,加热第二表面至约摄氏 500度 至350度之温度,以100至1500 rpm之速率旋转该基板,维 持该气相反应混合物之黏度及流动速率,以形成低 于约4 公分之边界层厚度。图1系阿瑞尼亚斯图之图形叙 述;图 2系旋转盘反应器之横截面图形叙述;以及图2A系图 3之 放大部分;图3系层流反应器之图示横截面叙述,取 自反 应室之上游及下游;图4系图示叙述反应速率为边 界层之 函数;图5系图形叙述摄氏450度之温度下TiN之沉积 速率 |
