| 主权项 |
1.一种用以连接支撑在半导体晶片上被氧化物区 域所隔开 之矽区域与矽区域之局部互接矽化物结构,包括一 与该等 矽区域接触之由矽化钛/氮化钛/矽化钛构成的第 一部份 ,及一与该氧化物区域接触之由钛/氮化钛/矽化钛 构成 的第二部份。2.如申请专利范围第1项之局部互接 矽化物结构,其中该 矽化物结构之厚度范围为大约1500至者。3.如申请 专利范围第1项之局部互接矽化物结构,其中该 矽区域系分别选自由单晶矽,聚晶矽及非晶形矽所 成之组 群者。4.一种形成用以连接被氧化物区域所隔开 之矽区域与矽区 域之局部互接矽化物结构之制程,包括:(a)形成堆 叠层 ,此堆叠层包括在该矽区域及该氧化物区域上之第 一钛层 ,该钛层上之氮化钛层,在该氮化钛层上之第二钛 层,及 在该第二钛层上之非晶形矽层;(b)对该堆叠层绘图 ,以 形成互接部;(c)在第一温度下加热此堆叠层,使与 矽区 域接触之第一钛层及保留有非晶形矽之第二钛层 形成矽化 钛;(d)对堆叠层进行湿式蚀刻,移除金属积覆而形 成图 案化之互接部;及(e)将堆叠物在高于第一温度之第 二温 度下加热,而将所有矽化物转化成二矽化物。5.如 申请专利范围第4项之制程,其中,第一钛层厚度在 大约250至600之范围,该氮化钛层厚度在大约350至800 之 范围,该第二钛层厚度在大约至之范围,且该矽层 厚度为 该第二钛层厚度之大约2倍者。6.如申请专利范围 第4项之制程,其中该堆叠层系在步骤 (c)中于约350℃至650℃之温度加热约30至90秒者。7. 如申请专利范围第4项之制程,其中,步骤(d)中之蚀 刻系包括将该半导体晶片于含铵离子之溶液中处 理以移除 留在该半导体晶片上之任何未反应之钛及氮化钛 者。8.如申请专利范围第4项之制程,其中该堆叠层 系在步骤 (e)中于约600至800℃之温度加热约15至60秒者。第1 图 之横剖面图系显示以习知方法形成之MOS装置及其 互接部 ;第2图之横剖面图系显示依本发明之制程在第1图 所示 之装置上形成堆叠层;第3图之横剖面图系显示依 本发明 |
