| 发明名称 | 用于MOS晶体管的隔离结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种用于MOS晶体管的隔离结构形成方法，包括：在半导体衬底的牺牲氧化层上形成第一光刻胶层，图案化第一光刻胶层，在半导体衬底上定义出PMOS有源区和PMOS隔离区；以第一光刻胶层为掩膜，通过牺牲氧化层向PMOS隔离区注入氮离子；去除第一光刻胶层；在牺牲氧化层上形成第二光刻胶层，图案化第二光刻胶层，在半导体衬底上定义出NMOS有源区和NMOS隔离区；以第二光刻胶层为掩膜，通过牺牲氧化层向NMOS隔离区注入氧离子；去除第二光刻胶层和牺牲氧化层；对半导体衬底进行退火，形成PMOS和NMOS隔离结构。经上述步骤，改善了PMOS和NMOS电性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101271866A | 申请公布日期 | 2008.09.24 |
| 申请号 | CN200710038451.4 | 申请日期 | 2007.03.22 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张步新;王媛 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01);H01L21/76(2006.01);H01L27/092(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1. 一种用于MOS晶体管的隔离结构形成方法，其特征在于，包括下列步骤：在半导体衬底上形成牺牲氧化层；在牺牲氧化层上形成第一光刻胶层，图案化第一光刻胶层，在半导体衬底上定义出PMOS有源区和PMOS隔离区；以第一光刻胶层为掩膜，通过牺牲氧化层向PMOS隔离区注入氮离子；去除第一光刻胶层；在牺牲氧化层上形成第二光刻胶层，图案化第二光刻胶层，在半导体衬底上定义出NMOS有源区和NMOS隔离区；以第二光刻胶层为掩膜，通过牺牲氧化层向NMOS隔离区注入氧离子；去除第二光刻胶层和牺牲氧化层；对半导体衬底进行退火，形成PMOS和NMOS隔离结构。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||