| 发明名称 | 量子点－阱红外探测器的结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种量子点－阱红外探测器结构，包括：一半绝缘GaAs衬底；一GaAs底接触层制作在半绝缘GaAs衬底上；一下GaAs隔离层制作在GaAs底接触层上的一侧，在GaAs底接触层上的另一侧形成一台面；一10个周期的InAs/InGaAs点－阱结构层制作在下GaAs隔离层上，该10个周期的InAs/InGaAs点－阱结构层是形成光电流并最终实现红外探测的核心部位；一GaAs顶接触层制作在10个周期的InAs/InGaAs点－阱结构层上；一上电极制作在GaAs顶接触层上的中间部位，该上电极可以实现探测器进行外加电压；一下电极制作在GaAs底接触层上的台面上，该下电极可以实现探测器进行外加电压。 | ||
| 申请公布号 | CN101271933A | 申请公布日期 | 2008.09.24 |
| 申请号 | CN200710064588.7 | 申请日期 | 2007.03.21 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 王志成;徐波;刘峰奇;陈涌海;王占国;石礼伟;梁凌燕 |
| 分类号 | H01L31/08(2006.01);H01L31/09(2006.01);H01L31/101(2006.01);H01L31/18(2006.01) | 主分类号 | H01L31/08(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1. 一种量子点-阱红外探测器结构，其特征在于，包括：一半绝缘GaAs衬底；一GaAs底接触层，该GaAs底接触层制作在半绝缘GaAs衬底上，该GaAs底接触层进行高浓度掺杂从而实现与电极材料的欧姆接触；一下GaAs隔离层，该下GaAs隔离层制作在GaAs底接触层上的一侧，在GaAs底接触层上的另一侧形成一台面，该下GaAs隔离层可以形成势垒，减小暗电流，防止量子点层之间的耦合；一10个周期的InAs/InGaAs点-阱结构层，该10个周期的InAs/InGaAs点-阱结构层制作在下GaAs隔离层上，该10个周期的InAs/InGaAs点-阱结构层是形成光电流并最终实现红外探测的核心部位；一GaAs顶接触层，该GaAs顶接触层制作在10个周期的InAs/InGaAs点-阱结构层上，该GaAs顶接触层进行高浓度掺杂，从而可以与电极材料形成欧姆接触；一上电极，该上电极制作在GaAs顶接触层上的中间部位，该上电极可以实现探测器进行外加电压；一下电极，该下电极制作在GaAs底接触层上的台面上，该下电极可以实现探测器进行外加电压。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||