| 发明名称 | 半导体器件的制造方法及半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法及半导体器件，该制造方法包括步骤：提供衬底；对所述衬底进行初始掺杂，在所述衬底内形成初始掺杂层，且所述初始掺杂至少包含一次掺杂处理；对所述衬底进行目标掺杂，在所述衬底内形成目标掺杂层，且所述目标掺杂中所用杂质的扩散系数小于所述初始掺杂中所用杂质的扩散系数。本发明的半导体器件的制造方法及半导体器件可以在对衬底的晶格损伤不严重的情况下，改善因杂质扩散引起的器件特性发生偏离的现象。 | ||
| 申请公布号 | CN101271837A | 申请公布日期 | 2008.09.24 |
| 申请号 | CN200710038447.8 | 申请日期 | 2007.03.22 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 施雪捷 |
| 分类号 | H01L21/04(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L29/36(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/04(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李文红 |
| 主权项 | 1. 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底；对所述衬底进行初始掺杂，在所述衬底内形成初始掺杂层，且所述初始掺杂至少包含一次掺杂处理；对所述衬底进行目标掺杂，在所述衬底内形成目标掺杂层，且所述目标掺杂中所用杂质的扩散系数小于所述初始掺杂中所用杂质的扩散系数。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||