发明名称 衬底加热设备和半导体制造方法
摘要 本发明公开了一种衬底加热设备和半导体制造方法。该衬底加热设备具有加热装置,该加热装置用于对设置在适合于被抽空的处理室中的衬底进行加热,该衬底加热设备包括:安装在所述加热装置和衬底之间的底座,该衬底安装在该底座上;以及热收纳部件,其安装在所述底座对面,使得衬底夹在热收纳部件和底座之间,并且该热收纳部件通过底座从加热装置收纳热量。形成了允许热收纳部件和衬底之间形成的空间与处理室中的空间连通的通风部分。
申请公布号 CN101271829A 申请公布日期 2008.09.24
申请号 CN200710198929.X 申请日期 2007.12.07
申请人 佳能安内华股份有限公司 发明人 柴垣真果;沼尻宪二;江上明宏;熊谷晃;秋山进
分类号 H01L21/00(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/324(2006.01);H01L21/683(2006.01) 主分类号 H01L21/00(2006.01)
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 屠长存
主权项 1.一种具有加热装置的衬底加热设备,该加热装置用于对设置在适合于被抽空的处理室中的衬底执行加热处理,该衬底加热设备包括:安装在所述加热装置和衬底之间的底座,该衬底安装在该底座上;以及热收纳部件,其安装在所述底座对面,其中衬底夹在该热收纳部件和底座之间,并且该热收纳部件通过所述底座从所述加热装置收纳热量,其中形成了使所述热收纳部件和衬底之间形成的空间与处理室中的空间连通的通风部分。
地址 日本神奈川