| 发明名称 | 用于生长Ⅲ－Ⅴ发光器件的复合主体－晶种衬底 | ||
| 摘要 | 提供了包含主体衬底和粘结在该主体衬底上的晶种层的衬底，然后在晶种层上生长包含布置在n型区和p型区之间的发光层的半导体结构。在一些实施方案中，粘结层将主体衬底粘结到晶种层。该晶种层可以比半导体结构中发生松驰应变的临界厚度更薄，从而通过在晶种层中形成的位错或者通过在晶种层和粘结层之间的这两层之间界面处的滑移释放半导体结构中的应变。在一些实施方案中，通过蚀刻除去粘结层可以使主体衬底与半导体结构和晶种层分离。 | ||
| 申请公布号 | CN101273472A | 申请公布日期 | 2008.09.24 |
| 申请号 | CN200680035850.9 | 申请日期 | 2006.09.25 |
| 申请人 | 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 | 发明人 | M·R·克拉梅斯;N·F·加德纳;J·埃普勒 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01L21/20(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 周铁;谭祐祥 |
| 主权项 | 1.一种方法，包括：提供衬底，包括：主体；和粘结到该主体的晶种层；和在该衬底上生长半导体结构，该半导体结构包括布置在n型区和p型区之间的发光层；其中所述晶种层具有的厚度小于半导体结构发生应变松驰的厚度。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||