| 发明名称 | 薄膜晶体管以及使用该薄膜晶体管的有机EL显示装置 | ||
| 摘要 | 提供一种薄膜晶体管以及使用该薄膜晶体管的有机EL显示装置。在薄膜晶体管中使用了含有Si、Ge的半导体层(4)，该半导体层(4)的Ge浓度在绝缘基板(1)侧高，半导体层(4)的结晶取向在离绝缘基板(1)侧20nm的区域为随机取向，而在半导体层(4)的膜表面侧显示(111)、(110)或(100)优先取向性。 | ||
| 申请公布号 | CN101271924A | 申请公布日期 | 2008.09.24 |
| 申请号 | CN200810004599.0 | 申请日期 | 2008.01.25 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所;国立大学法人东京工业大学 | 发明人 | 若木政利;半那纯一 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01);H01L29/161(2006.01);H01L29/38(2006.01);H01L29/04(2006.01);H01L27/32(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 岳耀锋 |
| 主权项 | 1.一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管在绝缘基板上具有由多晶薄膜构成的半导体层、源电极、漏电极以及栅电极，其特征在于，所述多晶薄膜含有Si、Ge，并且Ge浓度在绝缘基板侧高。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||