| 发明名称 | 光掩模以及利用该光掩模制造图像传感器的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种光掩模以及利用该掩模来制造图像传感器的方法，图像传感器的制造方法包括在逻辑电路区域和像素区域中的在衬底上形成绝缘层；在绝缘层上形成光刻胶；图案化光刻胶以形成其中暴露像素区域中的绝缘层而不暴露逻辑电路区域中的绝缘层的光刻胶图案，其中在逻辑电路区域到像素区域的方向上光刻胶图案的厚度在像素区域与逻辑电路区域之间的界面区域中逐渐减小；和在光刻胶图案和绝缘层的蚀刻速率基本相同的条件下在绝缘层和光刻胶图案上实施回蚀刻工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN101271864A | 申请公布日期 | 2008.09.24 |
| 申请号 | CN200810087507.X | 申请日期 | 2008.03.19 |
| 申请人 | 美格纳半导体有限会社 | 发明人 | 南现熙;朴正烈 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01);H01L21/311(2006.01);H01L27/146(2006.01);G03F1/14(2006.01) | 主分类号 | H01L21/82(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 蔡胜有;刘继富 |
| 主权项 | 1.一种用于制造图像传感器的方法，包括：在逻辑电路区域和像素区域中的衬底上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成光刻胶；图案化所述光刻胶以形成其中暴露所述像素区域中的绝缘层而不暴露所述逻辑电路区域中的绝缘层的光刻胶图案，其中所述光刻胶图案的厚度在所述像素区域与所述逻辑电路区域之间的界面区域中在从所述逻辑电路区域到所述像素区域的方向上逐渐减小；和在所述光刻胶图案的蚀刻速率与所述绝缘层的蚀刻速率基本相同的条件下在所述绝缘层和所述光刻胶图案上实施回蚀刻工艺。 | ||
| 地址 | 韩国忠清北道清州市 | ||