| 发明名称 | 双极晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种双极晶体管及其制造方法。所述双极晶体管可包括在衬底中形成的集电极区、在包括所述集电极区的所述衬底上形成的外延层、在所述外延层中形成的基极区、在所述基极区中形成的发射极区、在延伸通过所述发射极区、基极区、外延层并且延伸到所述集电极区中的沟槽的侧壁上形成的氧化物层、和在所述沟槽内形成的多晶硅层。 | ||
| 申请公布号 | CN101271921A | 申请公布日期 | 2008.09.24 |
| 申请号 | CN200810087505.0 | 申请日期 | 2008.03.19 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 金南柱 |
| 分类号 | H01L29/73(2006.01);H01L29/417(2006.01);H01L21/331(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L29/73(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 蔡胜有;王春伟 |
| 主权项 | 1.一种双极晶体管，包括：在衬底中形成的集电极区；在包括所述集电极区的所述衬底上形成的外延层；在所述外延层中形成的基极区；在所述基极区中形成的发射极区；在延伸通过所述发射极区、所述基极区、所述外延层并延伸到所述集电极区中的沟槽的侧壁上形成的氧化物层；和在所述沟槽中形成的多晶硅层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||