| 发明名称 | 具有电流扩展层的光电子半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有半导体本体(10)和电流扩展层(3)的光电子半导体器件。电流扩展层(3)至少部分地被施加在半导体本体(10)上。在此，电流扩展层(3)包括金属(1)，所述金属在电流扩展层内形成透明导电金属氧化物(2)，且金属(1)的浓度(x)从金属扩展层(3)的朝向半导体本体(10)的侧向背离半导体本体(10)的侧减小。此外，本发明还涉及一种用于制造这种半导体器件的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101273468A | 申请公布日期 | 2008.09.24 |
| 申请号 | CN200680035647.1 | 申请日期 | 2006.09.14 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发明人 | M·阿尔斯泰特;D·艾斯勒;R·瓦尔特;R·沃思 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01L31/0224(2006.01);H01S5/042(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 卢江;刘春元 |
| 主权项 | 1.光电子半导体器件，具有-半导体本体(10)，以及-至少部分地施加在半导体本体(10)上的电流扩展层(3)，其中-电流扩展层(3)包含金属(1)，所述金属在电流扩展层内形成透明导电金属氧化物(2)，且- 属(1)的浓度(x)从电流扩展层(3)的朝向半导体本体(10)的侧向背离半导体本体(10)的侧减小。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||