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Eine Halbleitervorrichtung, die einem Ladezielelement (C) einen Ladestrom zuführt, wobei die Halbleitervorrichtung umfasst: eine Halbleiterschicht (1) eines ersten Leitungstyps; ein erstes Halbleitergebiet (2) eines zweiten Leitungstyps, das auf einer Hauptoberfläche der Halbleiterschicht (1) ausgebildet ist und einen ersten Knoten (N1), der mit einer ersten Elektrode des Ladezielelements (C) gekoppelt ist, und einen zweiten Knoten (N2), der mit einem Leistungsversorgungspotential-Knoten, an den eine Leistungsversorgungsspannung angelegt ist, gekoppelt ist, besitzt; ein zweites Halbleitergebiet (3) des ersten Leitungstyps, das in einer Entfernung von der Halbleiterschicht (1) in einer Oberfläche des ersten Halbleitergebiets (2) ausgebildet ist und einen dritten Knoten (N3) besitzt, der mit dem Leistungsversorgungspotential-Knoten gekoppelt ist; und einen Ladungsträgerdrift-Beschränkungsabschnitt (3, R, 127), der die Drift der Ladungsträger von dem dritten Knoten (N3) zu der Halbleiterschicht (1) beschränkt.
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