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<p>Es ist ein Verfahren zur Herstellung von künstlichen Defektstellen in Oberflächen von Halbleiterbauteilen offenbart. Das Verfahren betrifft insbesondere Halbleiterwafer. Bei dem offenbarten Verfahren werden die künstlichen Defekte in Gestalt von Vertiefungen (40) mittels gepulster elektromagnetischer Strahlung hoher Pulsenergie eingebracht. Die eingebrachten Vertiefungen (40) weisen einen unebenen Grund (42) und/oder abgerundete Übergangskanten (42) zu der übrigen Bauteiloberfläche auf.</p> |
