| 主权项 |
1.一种矽晶圆的热处理方法,其步骤包含:于一矽晶圆的至少一个表面形成一天然的氧化膜;将该矽晶圆直接装载于一热处理炉,加热至1000℃至矽熔点温度范围内之一温度;于该温度范围内之一温度热处理该矽晶圆;及热处理完成后立即将具有该温度范围内之一温度的该矽晶圆由热处理炉中卸下。2.如申请专利范围第1项所述之矽晶圆的热处理方法,其中该天然的氧化膜系由以含过氧化氢之酸或硷洗液清洗待热处理之矽晶圆所形成。3.如申请专利范围第1项所述之矽晶圆的热处理方法,其中该矽晶圆之热处理温度为1200℃-1350℃之间。4.如申请专利范围第2项所述之矽晶圆的热处理方法,其中该矽晶圆之热处理温度为1200℃-1350℃之间。5.如申请专利范围第1项所述之矽晶圆的热处理方法,其中该热处理系于选自氮气、钝气、氮气及钝气之混合及任何这些气体之混合所成之族群与氧气及水蒸气中之至少一种的气体环境下进行。6.如申请专利范围第2项所述之矽晶圆的热处理方法,其中该热处理系于选自氮气、钝气、氮气及钝气之混合及任何这些气体之混合所成之族群与氧气及水蒸气中之至少一种的气体环境下进行。7.如申请专利范围第3项所述之矽晶圆的热处理方法,其中该热处理系于选自氮气、钝气、氮气及钝气之混合及任何这些气体之混合所成之族群与氧气及水蒸气中之至少一种的气体环境下进行。8.如申请专利范围第4项所述之矽晶圆的热处理方法,其中该热处理系于选自氮气、钝气、氮气及钝气之混合及任何这些气体之混合所成之族群与氧气及水蒸气中之至少一种的气体环境下进行。9.如申请专利范围第1项所述之矽晶圆的热处理方法,其中该热处理的时间为1秒至2分钟。10.如申请专利范围第2项所述之矽晶圆的热处理方法,其中该热处理的时间为1秒至2分钟。11.如申请专利范围第3项所述之矽晶圆的热处理方法,其中该热处理的时间为1秒至2分钟。12.如申请专利范围第4项所述之矽晶圆的热处理方法,其中该热处理的时间为1秒至2分钟。13.如申请专利范围第5项所述之矽晶圆的热处理方法,其中该热处理的时间为1秒至2分钟。14.如申请专利范围第6项所述之矽晶圆的热处理方法,其中该热处理的时间为1秒至2分钟。15.如申请专利范围第7项所述之矽晶圆的热处理方法,其中该热处理的时间为1秒至2分钟。16.如申请专利范围第8项所述之矽晶圆的热处理方法,其中该热处理的时间为1秒至2分钟。17.一种以申请专利范围第1项之方法热处理之晶圆,具有少许因氧化导致瑕疵累积作用之微缺陷。18.一种以申请专利范围第2项之方法热处理之晶圆,具有少许因氧化导致瑕疵累积作用之微缺陷。19.一种以申请专利范围第3项之方法热处理之晶圆,具有少许因氧化导致瑕疵累积作用之微缺陷。20.一种以申请专利范围第5项之方法热处理之晶圆,具有少许因氧化导致瑕疵累积作用之微缺陷。图式简单说明:第一图 为截面图,说明本发明于高温下热处理晶圆之热处理炉之一例第二图 为实施例1与比较例1之测试结果图第三图 为实施例1-5之测试结果图 |
