层叠型正特性热敏电阻

摘要

本发明的层叠型正特性热敏电阻的半导体陶瓷层，以BaTiO₃系陶瓷材料为主成分，Ba位点和Ti位点之比为0.998～1.006且包括从La、Ce、Pr、Nd以及Pm中选择的至少一种元素作为半导体化剂。该层叠型正特性热敏电阻的内部电极层的厚度d以及半导体陶瓷层的厚度D满足d≥0.6μm且d/D＜0.2。从而，即使在实际测量烧结密度降低到理论烧结密度的65～95％这样的半导体陶瓷层的情况下，不采用热处理等烦杂的方法，也能实现室温电阻值随时间的变化率小的层叠型正特性热敏电阻。在半导体体化剂的含有量相对Ti100摩尔部为0.1～0.5摩尔部时，能进行1150℃的低温烧制，能够得到低的室温电阻值和足够大的电阻变化率。

主权项

1、一种层叠型正特性热敏电阻，具有：实际测量烧结密度为理论烧结密度的65％以上90％以下的半导体陶瓷层与内部电极层交替地层叠并烧结而形成的陶瓷原材；和按照与上述内部电极层电连接的方式形成在上述陶瓷原材的两端部的外部电极，上述半导体陶瓷层，以BaTiO3系陶瓷材料为主成分，同时Ba位点与Ti位点之比为0.998≤Ba位点/Ti位点≤1.006，且包含从La、Ce、Pr、Nd以及Pm中选择的至少一种元素作为半导体化剂，上述内部电极层的厚度d以及上述半导体陶瓷层的厚度D满足d≥0.6μm且d/D＜0.2。