处理基片的方法和设备

摘要

一种基片的处理方法，通过固化用光照射由多个单个基片并且在其间放入了光可固化的粘合剂层构成的基片，并在通过光固化粘合剂层将单个基片粘合在一起的同时通过控制温度来控制基片的偏斜。控制偏斜的步骤包括求出在安装台的温度Th和固化之前的基片的温度Td之间的温度差ΔT的步骤；求出在固化之后的基片的偏斜X和目标偏斜设定值Xt之间的偏斜差ΔX的步骤；使用通过在温度差ΔX和偏斜X之间的相关性确定的比例常数M通过Tc＝ΔT-M×ΔX计算求出温度Tc的步骤；和根据温度Tc对在固化之前的基片和安装台中至少一个进行温度控制以使Tc＝Th-Td的步骤。

主权项

1. 一种基片的处理方法，包括：将在固化之前的基片安装在安装台上的步骤，所述的基片具有多个单个基片和放入在这些单个基片之间的未固化的光可固化的粘合剂层；获得在固化之后的基片的步骤，其中在固化之前的所述的基片安装在所述的安装台上的同时，通过以光固化的光照射所述的固化之前的基片来通过光固化所述的粘合剂层，从而使所述的单个基片粘合在一起；和通过控制在固化之前的所述的基片和所述的安装台中的至少一个的温度来控制在固化之后的所述的基片的偏斜的步骤；控制所述的偏斜的步骤包括：求出在所述的安装台的温度Th和固化之前的所述的基片的温度Td之间的温度差ΔT的步骤；获得在固化之后的所述的基片的偏斜X和目标偏斜设定值Xt之间的偏斜差ΔX的步骤；使用通过在所述的温度差ΔT和所述的偏斜X之间的相关性确定的比例常数M通过Tc＝ΔT-M×ΔX求出温度Tc的步骤；和根据所述的温度Tc对在固化之前的所述的基片和所述的安装台中至少一个进行温度控制以使Tc＝Th-Td的步骤。