发明名称 Power semiconductor modul with intermediate isolating layer und method of manufacturing
摘要
申请公布号 EP1772902(B1) 申请公布日期 2008.09.17
申请号 EP20060020798 申请日期 2006.10.04
申请人 SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH & CO. KG PATENTABTEILUNG 发明人 HEILBRONNER, HEINRICH, DR.;KOBOLLA, HARALD, DR.
分类号 H01L23/373 主分类号 H01L23/373
代理机构 代理人
主权项
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